SIZ320DT-T1-GE3
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| Teilenummer | SIZ320DT-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIZ320DT-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 28.218 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIZ320DT-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIZ320DT-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SIZ320DT-T1-GE3, SIZ320DT-T1-GE3 Datenblatt
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SIZ320DT-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | PowerPAIR®, TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 30A (Tc), 40A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 8A, 10V, 4.24mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V |
| Leistung - max | 16.7W, 31W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.7A Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 3.7A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 655pF @ 10V Leistung - max 700mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket 6-MicroFET (2x2) |
