SISS67DN-T1-GE3
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Teilenummer | SISS67DN-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SISS67DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CHAN 30V POWERPAK 1212- |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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SISS67DN-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SISS67DN-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SISS67DN-T1-GE3, SISS67DN-T1-GE3 Datenblatt
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SISS67DN-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen III |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 111nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±25V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4380pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 65.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3) |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8S |
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