SISH407DN-T1-GE3
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| Teilenummer | SISH407DN-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SISH407DN-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V POWERPAK 1212 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 27.480 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SISH407DN-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SISH407DN-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SISH407DN-T1-GE3, SISH407DN-T1-GE3 Datenblatt
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SISH407DN-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 15.4A (Ta), 25A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93.8nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2760pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.6W (Ta), 33W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8SH |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SH |
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