SISH112DN-T1-GE3
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Teilenummer | SISH112DN-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SISH112DN-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 49.518 |
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SISH112DN-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SISH112DN-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SISH112DN-T1-GE3, SISH112DN-T1-GE3 Datenblatt
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SISH112DN-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 11.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 17.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2610pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 1.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -50°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8SH |
Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SH |
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