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SIL2308-TP

SIL2308-TP

Nur als Referenz

Teilenummer SIL2308-TP
PNEDA Teilenummer SIL2308-TP
Beschreibung N/P-CHANNEL MOSFETSOT23-6L
Hersteller Micro Commercial Co
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SIL2308-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIL2308-TP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIL2308-TP, SIL2308-TP Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 3.825,92 KB)
PDFSIL2308-TP Datenblatt Cover
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SIL2308-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
FET-TypN and P-Channel
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A, 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs38mOhm @ 4.5A, 4.5V, 90mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V, 12nC @ 2.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds800pF, 405pF @ 8V, 10V
Leistung - max-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-23-6L

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1300pF @ 15V

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

PG-DSO-8

MP6K31TCR

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 4V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

290mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

110pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

MPT6

FDC6020C_F077

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.9A, 4.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

677pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6 FLMP

NTGD3149CT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

387pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

CSD87352Q5D

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

1.15V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V

Leistung - max

8.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

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