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SIL2301-TP

SIL2301-TP

Nur als Referenz

Teilenummer SIL2301-TP
PNEDA Teilenummer SIL2301-TP
Beschreibung P-CHANNEL,MOSFETS,SOT23-6L PACKA
Hersteller Micro Commercial Co
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SIL2301-TP Ressourcen

Marke Micro Commercial Co
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIL2301-TP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SIL2301-TP, SIL2301-TP Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 515,5 KB)
PDFSIL2301-TP Datenblatt Cover
SIL2301-TP Datenblatt Seite 2 SIL2301-TP Datenblatt Seite 3 SIL2301-TP Datenblatt Seite 4

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SIL2301-TP Technische Daten

HerstellerMicro Commercial Co
Serie-
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds405pF @ 10V
Leistung - max350mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6
LieferantengerätepaketSOT-23-6L

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

62V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

110mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.9nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

TPCF8402(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A, 3.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

470pF @ 10V

Leistung - max

330mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

VS-8 (2.9x1.5)

SLA5037

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Hersteller

Sanken

Serie

-

FET-Typ

4 N-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1630pF @ 10V

Leistung - max

5W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

12-SIP

Lieferantengerätepaket

12-SIP w/fin

SI4618DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A, 15.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

44nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1535pF @ 15V

Leistung - max

1.98W, 4.16W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMN3055LFDB-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

458pF @ 15V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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