SIHG70N60AEF-GE3
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| Teilenummer | SIHG70N60AEF-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHG70N60AEF-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 60A TO247AC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 13.380 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHG70N60AEF-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHG70N60AEF-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHG70N60AEF-GE3, SIHG70N60AEF-GE3 Datenblatt
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SIHG70N60AEF-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | EF |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 60A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 410nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5348pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 417W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 1.56W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-SO Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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