SIHG018N60E-GE3
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| Teilenummer | SIHG018N60E-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHG018N60E-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHAN 650V TO247AC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.698 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHG018N60E-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHG018N60E-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHG018N60E-GE3, SIHG018N60E-GE3 Datenblatt
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SIHG018N60E-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | E |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 99A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 25A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 228nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7612pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 524W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.76nC @ 4.5V Vgs (Max) ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 432pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 480mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236) Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
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