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SIHF22N60E-E3

SIHF22N60E-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SIHF22N60E-E3
PNEDA Teilenummer SIHF22N60E-E3
Beschreibung MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Hersteller Vishay Siliconix
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SIHF22N60E-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIHF22N60E-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SIHF22N60E-E3, SIHF22N60E-E3 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 171,24 KB)
PDFSIHF22N60E-GE3 Datenblatt Cover
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SIHF22N60E-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs86nC @ 10V
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1920pF @ 100V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-220 Full Pack
Paket / FallTO-220-3 Full Pack

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolMOS™ CE

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.2A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

225pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5W (Tc)

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223

Paket / Fall

TO-261-3

AUIRLR2703

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±16V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

450pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SPP21N10

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

SIPMOS®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 44µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

38.4nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

865pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

90W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO220-3-1

Paket / Fall

TO-220-3

FQB3N40TM

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

400V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.4Ohm @ 1.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

7.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

230pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 55W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IRFU220BTU_F080

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

800mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

390pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 40W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

S6010RTP

S6010RTP

Littelfuse

SCR SENS 600V 10A TO220

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ON Semiconductor

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0251007.NRT1L

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FUSE BRD MNT 7A 125VAC/VDC AXIAL

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FDD86540

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3

BZT52C8V2S-7-F

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Diodes Incorporated

DIODE ZENER 8.2V 200MW SOD323

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LTC3676HUJ-1#TRPBF

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IC REG CONV I.MX6 7OUT 40QFN

SMDB3

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DIAC 28-36V 1A SOT23-3

LTV-817S-TA1-D

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Lite-On Inc.

OPTOISOLATR 5KV TRANSISTOR 4-SMD

0451007.MRL

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7A-8.000MBBK-T

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CDSOT23-T24CAN

CDSOT23-T24CAN

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TVS DIODE 24V 40V SOT23

XC7A75T-2FGG676I

XC7A75T-2FGG676I

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IC FPGA 300 I/O 676FBGA