SIHB35N60EF-GE3
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| Teilenummer | SIHB35N60EF-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHB35N60EF-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH D2PAK TO-263 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 22.548 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHB35N60EF-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHB35N60EF-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHB35N60EF-GE3, SIHB35N60EF-GE3 Datenblatt
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SIHB35N60EF-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | EF |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 32A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 97mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 134nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2568pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 250W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D²PAK (TO-263) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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