SIHB33N60ET1-GE3
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| Teilenummer | SIHB33N60ET1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHB33N60ET1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 33A TO263 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.470 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIHB33N60ET1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHB33N60ET1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHB33N60ET1-GE3, SIHB33N60ET1-GE3 Datenblatt
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SIHB33N60ET1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | E |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 33A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99mOhm @ 16.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 150nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3508pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 278W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-263 (D²Pak) |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10.6A (Ta), 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V Vgs (Max) +16V, -20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.4W (Ta), 17.9W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PowerPAK® SC-70-6 Single Paket / Fall PowerPAK® SC-70-6 |
Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
