SIHA30N60AEL-GE3
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| Teilenummer | SIHA30N60AEL-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIHA30N60AEL-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.436 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 24 - Jun 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIHA30N60AEL-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIHA30N60AEL-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIHA30N60AEL-GE3, SIHA30N60AEL-GE3 Datenblatt
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SIHA30N60AEL-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | EL |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 28A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 120nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2565pF @ 100V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 39W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
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Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.1A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 19mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 75W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252AA Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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