SIDR608DP-T1-RE3
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| Teilenummer | SIDR608DP-T1-RE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIDR608DP-T1-RE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 45V PP SO-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.284 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIDR608DP-T1-RE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIDR608DP-T1-RE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIDR608DP-T1-RE3, SIDR608DP-T1-RE3 Datenblatt
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SIDR608DP-T1-RE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® Gen IV |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 45V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 51A (Ta), 208A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167nC @ 10V |
| Vgs (Max) | +20V, -16V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8900pF @ 20V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 6.25W (Ta), 104W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8DC |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
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