SIDC23D60E6YX1SA1
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Teilenummer | SIDC23D60E6YX1SA1 |
PNEDA Teilenummer | SIDC23D60E6YX1SA1 |
Beschreibung | DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER |
Hersteller | Infineon Technologies |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 2.394 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Nov 18 - Nov 23 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SIDC23D60E6YX1SA1 Ressourcen
Marke | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SIDC23D60E6YX1SA1 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SIDC23D60E6YX1SA1 Technische Daten
Hersteller | Infineon Technologies |
Serie | - |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) | 50A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 50A |
Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | - |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 27µA @ 600V |
Kapazität @ Vr, F. | - |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | Die |
Lieferantengerätepaket | Sawn on foil |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 150°C |
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Infineon Technologies Hersteller Infineon Technologies Serie CoolSiC™+ Diodentyp Silicon Carbide Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 650V Current - Average Rectified (Io) 10A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 10A Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 0ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 180µA @ 650V Kapazität @ Vr, F. 300pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-PowerTSFN Lieferantengerätepaket PG-VSON-4 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
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