SICR10650
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Teilenummer | SICR10650 |
PNEDA Teilenummer | SICR10650 |
Beschreibung | DIODE SCHOTTKY SILICON CARBIDE S |
Hersteller | SMC Diode Solutions |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 7.692 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SICR10650 Ressourcen
Marke | SMC Diode Solutions |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SICR10650 |
Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
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SICR10650 Technische Daten
Hersteller | SMC Diode Solutions |
Serie | - |
Diodentyp | Silicon Carbide Schottky |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 650V |
Current - Average Rectified (Io) | 10A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 10A |
Geschwindigkeit | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 650V |
Kapazität @ Vr, F. | 695pF @ 0V, 1MHz |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-2 |
Lieferantengerätepaket | TO-220AC |
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -55°C ~ 175°C |
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SMC Diode Solutions Hersteller SMC Diode Solutions Serie * Diodentyp - Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) - Current - Average Rectified (Io) - Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If - Geschwindigkeit - Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr - Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - Betriebstemperatur - Verbindungsstelle - |
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Vishay Semiconductor Diodes Division Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 150V Current - Average Rectified (Io) 8A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1V @ 8A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 30ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 10µA @ 150V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Lieferantengerätepaket TO-220AC Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |