SIB412DK-T1-E3
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Teilenummer | SIB412DK-T1-E3 |
PNEDA Teilenummer | SIB412DK-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 4.482 |
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SIB412DK-T1-E3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SIB412DK-T1-E3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SIB412DK-T1-E3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 9A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34mOhm @ 6.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.16nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 535pF @ 10V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.4W (Ta), 13W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-75-6L Single |
Paket / Fall | PowerPAK® SC-75-6L |
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