SIA813DJ-T1-GE3
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Teilenummer | SIA813DJ-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SIA813DJ-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 2.718 |
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SIA813DJ-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SIA813DJ-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SIA813DJ-T1-GE3, SIA813DJ-T1-GE3 Datenblatt
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SIA813DJ-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | LITTLE FOOT® |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 94mOhm @ 2.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 8V |
Vgs (Max) | ±8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 355pF @ 10V |
FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
Verlustleistung (max.) | 1.9W (Ta), 6.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
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