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SIA445EDJT-T1-GE3

SIA445EDJT-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SIA445EDJT-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SIA445EDJT-T1-GE3
Beschreibung MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
Hersteller Vishay Siliconix
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SIA445EDJT-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSIA445EDJT-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SIA445EDJT-T1-GE3, SIA445EDJT-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 332,79 KB)
PDFSIA445EDJT-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SIA445EDJT-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs16.7mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs69nC @ 10V
Vgs (Max)±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds2180pF @ 10V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)19W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketPowerPAK® SC-70-6 Single
Paket / FallPowerPAK® SC-70-6

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14mOhm @ 8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

81nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3470pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

NTTFS4823NTAG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A (Ta), 50A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 11.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1013pF @ 12V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

660mW (Ta), 32.9W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-WDFN (3.3x3.3)

Paket / Fall

8-PowerWDFN

IPD068N10N3GATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

90A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.8mOhm @ 90A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.5V @ 90µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

68nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4910pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

150W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

AUIRFR48ZTRL

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

42A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 37A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1720pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

91W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

RDR005N25TL

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Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

500mA (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.8Ohm @ 250mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

70pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

540mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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