SIA445EDJ-T1-GE3
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| Teilenummer | SIA445EDJ-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SIA445EDJ-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 12A SC-70 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.262 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SIA445EDJ-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SIA445EDJ-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SIA445EDJ-T1-GE3, SIA445EDJ-T1-GE3 Datenblatt
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SIA445EDJ-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2130pF @ 10V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 18A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 150mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 67nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 150W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220AB Paket / Fall TO-220-3 |
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Hersteller Micro Commercial Co Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 100mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 13pF @ 5V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 200mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-323 Paket / Fall SC-70, SOT-323 |
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