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SI8610EC-B-ISR

SI8610EC-B-ISR

Nur als Referenz

Teilenummer SI8610EC-B-ISR
PNEDA Teilenummer SI8610EC-B-ISR
Beschreibung DGTL ISO 3.75KV GEN PURP 8SOIC
Hersteller Silicon Labs
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SI8610EC-B-ISR Ressourcen

Marke Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI8610EC-B-ISR
KategorieHalbleiterIsolatorenDigitale Isolatoren
Datenblatt
SI8610EC-B-ISR, SI8610EC-B-ISR Datenblatt (Total Pages: 39, Größe: 899,58 KB)
PDFSI8622ET-ISR Datenblatt Cover
SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 2 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 3 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 4 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 5 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 6 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 7 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 8 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 9 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 10 SI8622ET-ISR Datenblatt Seite 11

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SI8610EC-B-ISR Technische Daten

HerstellerSilicon Labs
Serie-
TechnologieCapacitive Coupling
TypGeneral Purpose
Isolierte LeistungNo
Anzahl der Kanäle1
Eingänge - Seite 1 / Seite 21/0
KanaltypUnidirectional
Spannungsisolation3750Vrms
Gleichtakt-Transientenimmunität (min)35kV/µs
Datenrate150Mbps
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)13ns, 13ns
Pulsbreitenverzerrung (max.)4.5ns
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)2.5ns, 2.5ns
Spannung - Versorgung2.5V ~ 5.5V
Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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Technologie

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Typ

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Isolierte Leistung

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4

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2/2

Kanaltyp

Unidirectional

Spannungsisolation

3750Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

50kV/µs (Typ)

Datenrate

200Mbps

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

9.4ns, 9.2ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

2ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1.6ns (Max), 1.4ns (Max)

Spannung - Versorgung

1.71V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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16-SOIC

SI8422BD-D-ISR

Silicon Labs

Hersteller

Silicon Labs

Serie

-

Technologie

Capacitive Coupling

Typ

General Purpose

Isolierte Leistung

No

Anzahl der Kanäle

2

Eingänge - Seite 1 / Seite 2

1/1

Kanaltyp

Unidirectional

Spannungsisolation

5000Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

20kV/µs

Datenrate

150Mbps

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

11ns, 11ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

3ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2ns, 2ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

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Hersteller

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Technologie

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Typ

General Purpose

Isolierte Leistung

No

Anzahl der Kanäle

4

Eingänge - Seite 1 / Seite 2

3/1

Kanaltyp

Unidirectional

Spannungsisolation

2500Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

15kV/µs

Datenrate

110MBd

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

15ns, 15ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

3ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

1ns, 1ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SO W

SI8711BD-B-IMR

Silicon Labs

Hersteller

Silicon Labs

Serie

-

Technologie

Capacitive Coupling

Typ

General Purpose

Isolierte Leistung

No

Anzahl der Kanäle

1

Eingänge - Seite 1 / Seite 2

1/0

Kanaltyp

Unidirectional

Spannungsisolation

5000Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

35kV/µs

Datenrate

15Mbps

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

60ns, 60ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

20ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 30V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

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Technologie

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Typ

General Purpose

Isolierte Leistung

No

Anzahl der Kanäle

1

Eingänge - Seite 1 / Seite 2

1/0

Kanaltyp

Unidirectional

Spannungsisolation

3750Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

35kV/µs

Datenrate

15Mbps

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

50ns, 50ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

25ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

2.5ns, 2.5ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

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