SI8416DB-T1-GE3
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| Teilenummer | SI8416DB-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI8416DB-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 8V 16A MICRO |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8416DB-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8416DB-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SI8416DB-T1-GE3, SI8416DB-T1-GE3 Datenblatt
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SI8416DB-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 16A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1470pF @ 4V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-microfoot |
| Paket / Fall | 6-UFBGA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 7V Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 51A, 7V Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 78nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 110W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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