SI8404DB-T1-E1
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| Teilenummer | SI8404DB-T1-E1 |
| PNEDA Teilenummer | SI8404DB-T1-E1 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.948 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8404DB-T1-E1 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8404DB-T1-E1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SI8404DB-T1-E1 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1950pF @ 4V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 4-Microfoot |
| Paket / Fall | 4-XFBGA, CSPBGA |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 11A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 42mOhm @ 6.7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 11.5W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-PQFN (2x2) Paket / Fall 6-VDFN Exposed Pad |
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