SI8275GBD-IS1
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| Teilenummer | SI8275GBD-IS1 |
| PNEDA Teilenummer | SI8275GBD-IS1 |
| Beschreibung | DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC |
| Hersteller | Silicon Labs |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8275GBD-IS1 Ressourcen
| Marke | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8275GBD-IS1 |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Isolatoren - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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SI8275GBD-IS1 Technische Daten
| Hersteller | Silicon Labs |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Technologie | Capacitive Coupling |
| Anzahl der Kanäle | 2 |
| Spannungsisolation | 2500Vrms |
| Gleichtakt-Transientenimmunität (min) | 200kV/µs |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) | 75ns, 75ns |
| Pulsbreitenverzerrung (max.) | 8ns |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 10.5ns, 13.3ns |
| Strom - Ausgang hoch, niedrig | 1.8A, 4A |
| Strom - Spitzenleistung | 4A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | - |
| Spannung - Ausgangsversorgung | 4.2V ~ 30V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
| Zulassungen | CQC, CSA, UR, VDE |
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Hersteller Broadcom Limited Serie - Technologie Optical Coupling Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Gleichtakt-Transientenimmunität (min) 35kV/µs Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) 200ns, 200ns Pulsbreitenverzerrung (max.) 70ns Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 43ns, 40ns Strom - Ausgang hoch, niedrig 800mA, 800mA Strom - Spitzenleistung 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.55V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 25mA Spannung - Ausgangsversorgung 15V ~ 30V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width) Lieferantengerätepaket 6-SO Stretched Zulassungen CSA, UR |
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