SI8275GB-IM1
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| Teilenummer | SI8275GB-IM1 |
| PNEDA Teilenummer | SI8275GB-IM1 |
| Beschreibung | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| Hersteller | Silicon Labs |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8275GB-IM1 Ressourcen
| Marke | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8275GB-IM1 |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Isolatoren - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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SI8275GB-IM1 Technische Daten
| Hersteller | Silicon Labs |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Technologie | Capacitive Coupling |
| Anzahl der Kanäle | 2 |
| Spannungsisolation | 2500Vrms |
| Gleichtakt-Transientenimmunität (min) | 150kV/µs |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) | 60ns, 60ns |
| Pulsbreitenverzerrung (max.) | 8ns |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 10.5ns, 13.3ns |
| Strom - Ausgang hoch, niedrig | 1.8A, 4A |
| Strom - Spitzenleistung | 4A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | - |
| Spannung - Ausgangsversorgung | 4.2V ~ 30V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 14-VDFN |
| Lieferantengerätepaket | 14-QFN (5x5) |
| Zulassungen | CQC, CSA, UL, VDE |
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Hersteller Silicon Labs Serie Automotive, AEC-Q100 Technologie Capacitive Coupling Anzahl der Kanäle 2 Spannungsisolation 2500Vrms Gleichtakt-Transientenimmunität (min) 200kV/µs Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) 75ns, 75ns Pulsbreitenverzerrung (max.) 8ns Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 10.5ns, 13.3ns Strom - Ausgang hoch, niedrig 1.8A, 4A Strom - Spitzenleistung 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) - Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) - Spannung - Ausgangsversorgung 4.6V ~ 30V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC Zulassungen CQC, CSA, UR, VDE |
