SI8275BB-IM1R
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| Teilenummer | SI8275BB-IM1R |
| PNEDA Teilenummer | SI8275BB-IM1R |
| Beschreibung | 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR |
| Hersteller | Silicon Labs |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.484 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI8275BB-IM1R Ressourcen
| Marke | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8275BB-IM1R |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Isolatoren - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
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SI8275BB-IM1R Technische Daten
| Hersteller | Silicon Labs |
| Serie | * |
| Technologie | - |
| Anzahl der Kanäle | - |
| Spannungsisolation | - |
| Gleichtakt-Transientenimmunität (min) | - |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) | - |
| Pulsbreitenverzerrung (max.) | - |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | - |
| Strom - Ausgang hoch, niedrig | - |
| Strom - Spitzenleistung | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | - |
| Spannung - Ausgangsversorgung | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Zulassungen | - |
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Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Technologie Optical Coupling Anzahl der Kanäle 1 Spannungsisolation 5000Vrms Gleichtakt-Transientenimmunität (min) 10kV/µs Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) 170ns, 170ns Pulsbreitenverzerrung (max.) - Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) - Strom - Ausgang hoch, niedrig 300mA, 300mA Strom - Spitzenleistung 450mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) 1.6V Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) 20mA Spannung - Ausgangsversorgung 10V ~ 20V Betriebstemperatur -40°C ~ 100°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SOIC (0.268", 6.80mm Width) Lieferantengerätepaket 6-SDIP Gull Wing Zulassungen UR |
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