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SI8275ABD-IS1R

SI8275ABD-IS1R

Nur als Referenz

Teilenummer SI8275ABD-IS1R
PNEDA Teilenummer SI8275ABD-IS1R
Beschreibung 4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
Hersteller Silicon Labs
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SI8275ABD-IS1R Ressourcen

Marke Silicon Labs
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI8275ABD-IS1R
KategorieHalbleiterIsolatorenIsolatoren - Gate-Treiber
Datenblatt
SI8275ABD-IS1R, SI8275ABD-IS1R Datenblatt (Total Pages: 49, Größe: 935,99 KB)
PDFSI8275AB-IM1R Datenblatt Cover
SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 2 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 3 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 4 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 5 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 6 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 7 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 8 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 9 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 10 SI8275AB-IM1R Datenblatt Seite 11

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SI8275ABD-IS1R Technische Daten

HerstellerSilicon Labs
Serie*
Technologie-
Anzahl der Kanäle-
Spannungsisolation-
Gleichtakt-Transientenimmunität (min)-
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)-
Pulsbreitenverzerrung (max.)-
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)-
Strom - Ausgang hoch, niedrig-
Strom - Spitzenleistung-
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)-
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)-
Spannung - Ausgangsversorgung-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-
Zulassungen-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FOD8316R2

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Technologie

Optical Coupling

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

4243Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

35kV/µs

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

500ns, 500ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

300ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

34ns, 34ns

Strom - Ausgang hoch, niedrig

2.5A, 2.5A

Strom - Spitzenleistung

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Spannung - Ausgangsversorgung

15V ~ 30V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 100°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

Zulassungen

UL

ADUM6132ARWZ

Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

IsoPower®, iCoupler®

Technologie

Magnetic Coupling

Anzahl der Kanäle

2

Spannungsisolation

3750Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

50kV/µs

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

100ns, 100ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

10ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

15ns, 15ns (Max)

Strom - Ausgang hoch, niedrig

200mA, 200mA

Strom - Spitzenleistung

200mA

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Spannung - Ausgangsversorgung

12.5V ~ 17V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

Zulassungen

CSA, UR

ACPL-P340-000E

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Technologie

Optical Coupling

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3750Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

35kV/µs

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

200ns, 200ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

70ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

43ns, 40ns

Strom - Ausgang hoch, niedrig

800mA, 800mA

Strom - Spitzenleistung

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

1.55V

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

25mA

Spannung - Ausgangsversorgung

15V ~ 30V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SOIC (0.268", 6.80mm Width)

Lieferantengerätepaket

6-SO Stretched

Zulassungen

CSA, UR

UCC5390ECDWVR

Texas Instruments

Hersteller

Serie

-

Technologie

Capacitive Coupling

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

3000Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

100kV/µs

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

100ns, 100ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

20ns

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

10ns, 10ns

Strom - Ausgang hoch, niedrig

10A, 10A

Strom - Spitzenleistung

-

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Spannung - Ausgangsversorgung

13.2V ~ 33V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.295", 7.50mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Zulassungen

CQC, CSA, UR, VDE

SIC1182K

Power Integrations

Hersteller

Power Integrations

Serie

SCALE-iDriver™

Technologie

Magnetic Coupling

Anzahl der Kanäle

1

Spannungsisolation

5000Vrms

Gleichtakt-Transientenimmunität (min)

50kV/µs (Typ)

Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max)

305ns, 325ns

Pulsbreitenverzerrung (max.)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

475ns, 447ns

Strom - Ausgang hoch, niedrig

7.8A, 7.3A

Strom - Spitzenleistung

8A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ)

-

Strom - DC Vorwärts (wenn) (max)

-

Spannung - Ausgangsversorgung

18V ~ 28V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-PowerSOIC (0.350", 8.89mm Width), 15 Leads

Lieferantengerätepaket

eSOP-R16B

Zulassungen

UL

Kürzlich verkauft

CY90F543GPF-GE1

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Cypress Semiconductor

IC MCU 16BIT 128KB FLASH 100QFP

IHLP2525CZER220M5A

IHLP2525CZER220M5A

Vishay Dale

FIXED IND 22UH 2.8A 174 MOHM SMD

74438356150

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Wurth Electronics

FIXED IND 15UH 1.9A 230MOHM SMD

DS3231SN#T&R

DS3231SN#T&R

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 16-SOIC

MMBT2907

MMBT2907

ON Semiconductor

TRANS PNP 40V 0.8A SOT-23

IRF7853PBF

IRF7853PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC

FDS6680AS

FDS6680AS

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC

IHLP2525CZER1R0M01

IHLP2525CZER1R0M01

Vishay Dale

FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

Micron Technology Inc.

IC FLASH 1G PARALLEL 64TBGA

CMS15(TE12L,Q,M)

CMS15(TE12L,Q,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

DIODE SCHOTTKY 60V 3A M-FLAT

2SA2222SG

2SA2222SG

ON Semiconductor

TRANS PNP 50V 10A TO-220ML

FDS4435BZ

FDS4435BZ

ON Semiconductor

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC