SI8235BB-D-IS1R
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI8235BB-D-IS1R | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | SI8235BB-D-IS1R | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Silicon Labs | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 20.221 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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SI8235BB-D-IS1R Ressourcen
| Marke | Silicon Labs |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI8235BB-D-IS1R |
| Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Isolatoren - Gate-Treiber |
| Datenblatt |
SI8235BB-D-IS1R, SI8235BB-D-IS1R Datenblatt
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SI8235BB-D-IS1R Technische Daten
| Hersteller | Silicon Labs |
| Serie | Automotive, AEC-Q100 |
| Technologie | Capacitive Coupling |
| Anzahl der Kanäle | 2 |
| Spannungsisolation | 2500Vrms |
| Gleichtakt-Transientenimmunität (min) | 20kV/µs |
| Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) | 60ns, 60ns |
| Pulsbreitenverzerrung (max.) | 5.6ns |
| Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 12ns, 12ns (Max) |
| Strom - Ausgang hoch, niedrig | 2A, 4A |
| Strom - Spitzenleistung | 4A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
| Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | - |
| Spannung - Ausgangsversorgung | 9.4V ~ 24V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
| Zulassungen | CQC, CSA, UR, VDE |
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