SI8235AB-C-ISR
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Teilenummer | SI8235AB-C-ISR |
PNEDA Teilenummer | SI8235AB-C-ISR |
Beschreibung | DGTL ISO 2.5KV GATE DRVR 16SOIC |
Hersteller | Silicon Labs |
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Auf Lager | 2.430 |
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SI8235AB-C-ISR Ressourcen
Marke | Silicon Labs |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI8235AB-C-ISR |
Kategorie | Halbleiter › Isolatoren › Isolatoren - Gate-Treiber |
Datenblatt |
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SI8235AB-C-ISR Technische Daten
Hersteller | Silicon Labs |
Serie | Automotive, AEC-Q100 |
Technologie | Capacitive Coupling |
Anzahl der Kanäle | 2 |
Spannungsisolation | 2500Vrms |
Gleichtakt-Transientenimmunität (min) | 20kV/µs |
Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) | 60ns, 60ns |
Pulsbreitenverzerrung (max.) | 5.6ns |
Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) | 12ns, 12ns (Max) |
Strom - Ausgang hoch, niedrig | 2A, 4A |
Strom - Spitzenleistung | 4A |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | - |
Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) | - |
Spannung - Ausgangsversorgung | 6.5V ~ 24V |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
Zulassungen | CQC, CSA, UR, VDE |
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Silicon Labs Hersteller Silicon Labs Serie Automotive, AEC-Q100 Technologie Capacitive Coupling Anzahl der Kanäle 2 Spannungsisolation 5000Vrms Gleichtakt-Transientenimmunität (min) 20kV/µs Ausbreitungsverzögerung tpLH / tpHL (max) 60ns, 60ns Pulsbreitenverzerrung (max.) 5.6ns Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 12ns, 12ns (Max) Strom - Ausgang hoch, niedrig 2A, 4A Strom - Spitzenleistung 4A Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) - Strom - DC Vorwärts (wenn) (max) - Spannung - Ausgangsversorgung 6.5V ~ 24V Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC Zulassungen CQC, CSA, UR, VDE |
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