SI7540DP-T1-GE3
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Teilenummer | SI7540DP-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI7540DP-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.784 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI7540DP-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI7540DP-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
SI7540DP-T1-GE3, SI7540DP-T1-GE3 Datenblatt
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SI7540DP-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N and P-Channel |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 7.6A, 5.7A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 11.8A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung - max | 1.4W |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 Dual |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 Dual |
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