SI7501DN-T1-E3
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| Teilenummer | SI7501DN-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI7501DN-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.694 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 31 - Jan 5 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI7501DN-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI7501DN-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SI7501DN-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N and P-Channel, Common Drain |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.4A, 4.5A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 7.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.6W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 15V Leistung - max 2.9W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead Lieferantengerätepaket 8-ECH |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 950mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 350mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 1.6µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.32nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 63pF @ 10V Leistung - max 500mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel Complementary FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 600mA, 500mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 650mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 45pF @ 10V Leistung - max 380mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SC-89-6 |
