SI7356ADP-T1-E3
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Teilenummer | SI7356ADP-T1-E3 |
PNEDA Teilenummer | SI7356ADP-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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Auf Lager | 2.934 |
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SI7356ADP-T1-E3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI7356ADP-T1-E3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
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SI7356ADP-T1-E3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 40A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6215pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 5.4W (Ta), 83W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
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Vishay Siliconix Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 100W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-252, (D-Pak) Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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