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SI7252DP-T1-GE3

SI7252DP-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7252DP-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI7252DP-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis $31,6656
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI7252DP-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7252DP-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7252DP-T1-GE3, SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 378,12 KB)
PDFSI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 9 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 10 SI7252DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 11

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SI7252DP-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.36.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1170pF @ 50V
Leistung - max46W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® SO-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® SO-8 Dual

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 4.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.4W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8 Dual

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8 Dual

SSM6N44FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 100µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

8.5pF @ 3V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

ES6 (1.6x1.6)

IRF7507TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A, 1.7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

140mOhm @ 1.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

260pF @ 15V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)

Lieferantengerätepaket

Micro8™

NTMFD4901NFT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.3A, 17.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

1.1W, 1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual-Asymmetrical)

SH8K4TB1

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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