SI7222DN-T1-GE3
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| Teilenummer | SI7222DN-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI7222DN-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.866 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Sep 23 - Sep 28 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI7222DN-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI7222DN-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI7222DN-T1-GE3, SI7222DN-T1-GE3 Datenblatt
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SI7222DN-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 5.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 700pF @ 20V |
| Leistung - max | 17.8W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3238pF @ 20V Leistung - max 187W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 8 x 8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 8 x 8 Dual |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3A, 2.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.63Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V Leistung - max 650mW Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 10A, 12A Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.3mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.4A (Ta), 2.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 3A, 10V, 135mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.34nC @ 4.5V, 4.8nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 390pF @ 15V, 409pF @ 15V Leistung - max 1.15W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-74, SOT-457 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 3.2A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 10V Leistung - max 1.5W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC75-6 FLMP Lieferantengerätepaket SC75-6 FLMP |
