Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI7218DN-T1-E3

SI7218DN-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI7218DN-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI7218DN-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.844
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 20 - Apr 25 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI7218DN-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI7218DN-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI7218DN-T1-E3, SI7218DN-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 571,59 KB)
PDFSI7218DN-T1-E3 Datenblatt Cover
SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI7218DN-T1-E3 Datenblatt Seite 11

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI7218DN-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI7218DN-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI7218DN-T1-E3
  • SI7218DN-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI7218DN-T1-E3 Stock

  • SI7218DN-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI7218DN-T1-E3
  • SI7218DN-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI7218DN-T1-E3 Price
  • SI7218DN-T1-E3 Distributor

SI7218DN-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.24A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds700pF @ 15V
Leistung - max23W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallPowerPAK® 1212-8 Dual
LieferantengerätepaketPowerPAK® 1212-8 Dual

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

ALD210814SCL

Advanced Linear Devices Inc.

Hersteller

Advanced Linear Devices Inc.

Serie

EPAD®, Zero Threshold™

FET-Typ

4 N-Channel, Matched Pair

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

10.6V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

20mV @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

500mW

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

IRF8852TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.35V @ 25µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1151pF @ 20V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-TSSOP

AO4622

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1100pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SP8J1FU6TB

Rohm Semiconductor

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

42mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 10V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

SI5515CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

800mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11.3nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

632pF @ 10V

Leistung - max

3.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SMD, Flat Lead

Lieferantengerätepaket

1206-8 ChipFET™

Kürzlich verkauft

MF-MSMF075-2

MF-MSMF075-2

Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

MUR160

MUR160

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

TAJE107M025RNJ

TAJE107M025RNJ

CAP TANT 100UF 20% 25V 2917

LTM8022EV#PBF

LTM8022EV#PBF

Linear Technology/Analog Devices

DC DC CONVERTER 0.8-10V 1A

SRR0735A-100M

SRR0735A-100M

Bourns

FIXED IND 10UH 2.1A 72 MOHM SMD

DG4051EEN-T1-GE4

DG4051EEN-T1-GE4

Vishay Siliconix

IC MUX SINGLE 8CHAN 16-MINIQFN

7M-12.000MAAE-T

7M-12.000MAAE-T

TXC

CRYSTAL 12.0000MHZ 12PF SMD

TAJE477K010RNJ

TAJE477K010RNJ

CAP TANT 470UF 10% 10V 2917

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

ADG5408BRUZ

ADG5408BRUZ

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP

DS1339U-33+

DS1339U-33+

Maxim Integrated

IC RTC CLK/CALENDAR I2C 8-USOP

FMMT625TA

FMMT625TA

Diodes Incorporated

TRANS NPN 150V 1A SOT23-3