SI6913DQ-T1-GE3
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| Teilenummer | SI6913DQ-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI6913DQ-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 297.108 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI6913DQ-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI6913DQ-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI6913DQ-T1-GE3, SI6913DQ-T1-GE3 Datenblatt
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SI6913DQ-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4.9A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 5.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 400µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 830mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
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Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 14.2A Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 41.9nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2026pF @ 30V Leistung - max 2.6W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerTDFN Lieferantengerätepaket PowerDI5060-8 |
