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SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6913DQ-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI6913DQ-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 4.806
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SI6913DQ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6913DQ-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6913DQ-T1-E3, SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 221,11 KB)
PDFSI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Cover
SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI6913DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 11

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SI6913DQ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id900mV @ 400µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max830mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

300pF @ 15V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1130pF @ 15V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

FDJ1027P

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.8A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

160mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

290pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SC75-6 FLMP

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

LITTLE FOOT®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

190V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

950mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.8Ohm @ 360mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

90pF @ 100V

Leistung - max

7W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Dual

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

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Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

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