SI6459BDQ-T1-E3
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| Teilenummer | SI6459BDQ-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI6459BDQ-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.172 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI6459BDQ-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI6459BDQ-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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SI6459BDQ-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115mOhm @ 2.7A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 1W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 90A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 60µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6500pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 107W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TO252-3-11 Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller Diodes Incorporated Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 700mA (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.6nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 235pF @ 50V FET-Funktion Standard Verlustleistung (max.) 400mW (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket SOT-23 Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 42A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 220nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 300W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-204AE Paket / Fall TO-204AE |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Ta), 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39.8nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HSOP Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Infineon Technologies Serie * FET-Typ - Technologie - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Vgs (Max) - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Lieferantengerätepaket - Paket / Fall - |
