SI5933DC-T1-GE3
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| Teilenummer | SI5933DC-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI5933DC-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.388 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5933DC-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI5933DC-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
SI5933DC-T1-GE3, SI5933DC-T1-GE3 Datenblatt
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SI5933DC-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1.1W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
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Hersteller STMicroelectronics Serie SuperMESH™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 450V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 400mA Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V Leistung - max 1.6W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68.6nC @ 4V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-SMD, No Lead Lieferantengerätepaket X4-DSN3118-6 |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 10V Leistung - max 1.04W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Logic Level Gate, 2.5V Drive Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 48nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-XFBGA, FCBGA Lieferantengerätepaket EFCP2718-6CE-020 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie Automotive, AEC-Q101 FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 6A (Ta), 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 5V, 25nC @ 5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 10V, 2600pF @ 10V Leistung - max 2W Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOP |
