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SI5933CDC-T1-GE3

SI5933CDC-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI5933CDC-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI5933CDC-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Hersteller Vishay Siliconix
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SI5933CDC-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI5933CDC-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI5933CDC-T1-GE3, SI5933CDC-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 246,9 KB)
PDFSI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Cover
SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI5933CDC-T1-E3 Datenblatt Seite 11

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SI5933CDC-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs144mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.8nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds276pF @ 10V
Leistung - max2.8W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SMD, Flat Lead
Lieferantengerätepaket1206-8 ChipFET™

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20.8nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1028pF @ 6V

Leistung - max

1.36W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.2A, 2.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

387pF @ 10V

Leistung - max

900mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

FDMD82100L

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

24nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1585pF @ 50V

Leistung - max

1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

200mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.4Ohm @ 50mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.43nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7.5pF @ 10V

Leistung - max

800mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

6-MCPH

SSM6L39TU,LF

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Toshiba Semiconductor and Storage

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FET-Typ

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FET-Funktion

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Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

800mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

143mOhm @ 600MA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

268pF @ 10V

Leistung - max

500mW

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