SI5853DDC-T1-E3
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| Teilenummer | SI5853DDC-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI5853DDC-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.384 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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SI5853DDC-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI5853DDC-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
SI5853DDC-T1-E3, SI5853DDC-T1-E3 Datenblatt
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SI5853DDC-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | LITTLE FOOT® |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 4A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 2.9A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 320pF @ 10V |
| FET-Funktion | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (max.) | 1.3W (Ta), 3.1W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
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Hersteller Vishay Siliconix Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 75V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 75A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 53A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3270pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 170W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller Infineon Technologies Serie OptiMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 80A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 50V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-7 Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor Inc. Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 16A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 370mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2297pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 50W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-220-3F Paket / Fall TO-220-3 Full Pack |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 8A (Ta), 35A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1314pF @ 30V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-PDFN (5x6) Paket / Fall 8-PowerTDFN |
Hersteller IXYS Serie Linear L2™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 170mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 10400pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 540W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247 (IXTH) Paket / Fall TO-247-3 |
