SI5406CDC-T1-GE3
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| Teilenummer | SI5406CDC-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI5406CDC-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8 |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
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SI5406CDC-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI5406CDC-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SI5406CDC-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | TrenchFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 6A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32nC @ 8V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 6V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 1206-8 ChipFET™ |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 32A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 6V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4075pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 890W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-268HV (IXFT) Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
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