Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI4946BEY-T1-GE3

SI4946BEY-T1-GE3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4946BEY-T1-GE3
PNEDA Teilenummer SI4946BEY-T1-GE3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 50.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Mär 17 - Mär 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI4946BEY-T1-GE3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4946BEY-T1-GE3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4946BEY-T1-GE3, SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 189,68 KB)
PDFSI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Cover
SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2 SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3 SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4 SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5 SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6 SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7 SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8 SI4946BEY-T1-GE3 Datenblatt Seite 9

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI4946BEY-T1-GE3 Datasheet
  • where to find SI4946BEY-T1-GE3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI4946BEY-T1-GE3
  • SI4946BEY-T1-GE3 PDF Datasheet
  • SI4946BEY-T1-GE3 Stock

  • SI4946BEY-T1-GE3 Pinout
  • Datasheet SI4946BEY-T1-GE3
  • SI4946BEY-T1-GE3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI4946BEY-T1-GE3 Price
  • SI4946BEY-T1-GE3 Distributor

SI4946BEY-T1-GE3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds840pF @ 30V
Leistung - max3.7W
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

FDMJ1023PZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

112mOhm @ 2.9A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

400pF @ 10V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-WFDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

SC-75, MicroFET

CSD87588N

Texas Instruments

Hersteller

Serie

NexFET™

FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

25A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.9V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

4.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

736pF @ 15V

Leistung - max

6W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

5-XFLGA

Lieferantengerätepaket

5-PTAB (3x2.5)

IRF7105PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

25V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A, 2.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

ZXMC3A17DN8TC

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.1A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

Leistung - max

1.25W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMC1028UFDB-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A, 3.4A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 5.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

18.5nC @ 8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

787pF @ 6V

Leistung - max

1.36W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

U-DFN2020-6 (Type B)

Kürzlich verkauft

M24M01-RMN6P

M24M01-RMN6P

STMicroelectronics

IC EEPROM 1M I2C 1MHZ 8SO

MAX14780EESA+T

MAX14780EESA+T

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER HALF 1/1 8SOIC

USB2517-JZX-TR

USB2517-JZX-TR

Microchip Technology

IC USB 2.0 7PORT HUB CTLR 64QFN

NC7SV74K8X

NC7SV74K8X

ON Semiconductor

IC FF D-TYPE SNGL 1BIT US8

LTV-352T

LTV-352T

Lite-On Inc.

OPTOISO 3.75KV DARLINGTON 4SOP

STBB1-APUR

STBB1-APUR

STMicroelectronics

IC REG BCK BST ADJ 1.6A 10DFN

MMSZ5235BT1G

MMSZ5235BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123

HSMF-C155

HSMF-C155

Broadcom

LED GREEN/RED DIFFUSED CHIP SMD

FPF2123

FPF2123

ON Semiconductor

IC LOAD SWITCH FULL FUNC SOT23-5

BLM18PG121SN1D

BLM18PG121SN1D

Murata

FERRITE BEAD 120 OHM 0603 1LN

TNY290PG

TNY290PG

Power Integrations

IC OFF-LINE SWITCH PWM 8DIP

SMCJ24CAHE3/57T

SMCJ24CAHE3/57T

Vishay Semiconductor Diodes Division

TVS DIODE 24V 38.9V DO214AB