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SI4908DY-T1-E3

SI4908DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4908DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4908DY-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 40V 5A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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SI4908DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4908DY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4908DY-T1-E3, SI4908DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 102,23 KB)
PDFSI4908DY-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI4908DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds355pF @ 20V
Leistung - max2.75W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

22mOhm @ 6.6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 16V

Leistung - max

1.42W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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8-TSSOP

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Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel Complementary

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.4A (Ta), 3.3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 3.4A, 10V, 75mOhm @ 3.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA, 1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

235pF @ 15V, 510pF @ 10V

Leistung - max

1.25W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-74, SOT-457

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

APTC60AM45BC1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

CoolMOS™

FET-Typ

3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

49A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 3mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

150nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7200pF @ 25V

Leistung - max

250W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP1

Lieferantengerätepaket

SP1

CMLDM7003TG TR

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.76nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

350mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.6V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

505pF @ 20V

Leistung - max

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