SI4816DY-T1-E3
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| Teilenummer | SI4816DY-T1-E3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4816DY-T1-E3 |
| Beschreibung | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.140 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI4816DY-T1-E3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4816DY-T1-E3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
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SI4816DY-T1-E3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | LITTLE FOOT® |
| FET-Typ | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET-Funktion | Logic Level Gate |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 5.3A, 7.7A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 6.3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | 1W, 1.25W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-SO |
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ - FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.71mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 20V Leistung - max 23W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8 Dual |
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Hersteller Infineon Technologies Serie Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.2mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 15µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1470pF @ 25V Leistung - max 41W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerVDFN Lieferantengerätepaket PG-TDSON-8-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel FET-Funktion - Drain to Source Voltage (Vdss) - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 15A (Ta), 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.9mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Lieferantengerätepaket DPAK (SINGLE GAUGE) |
