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SI4650DY-T1-E3

SI4650DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4650DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4650DY-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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Auf Lager 4.482
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SI4650DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4650DY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI4650DY-T1-E3, SI4650DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 150,63 KB)
PDFSI4650DY-T1-E3 Datenblatt Cover
SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 5 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 6 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 7 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 8 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 9 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 10 SI4650DY-T1-E3 Datenblatt Seite 11

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SI4650DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 N-Channel (Half Bridge)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs18mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds1550pF @ 15V
Leistung - max3.1W
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate, 2.5V Drive

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

29nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.6W

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA, FCBGA

Lieferantengerätepaket

EFCP1616-4CE-022

TSM4953DCS RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.9A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

60mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

745pF @ 15V

Leistung - max

2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

NVMFD5C478NLWFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.5A (Ta), 29A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 20µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

420pF @ 25V

Leistung - max

3.1W (Ta), 23W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

DMN2036UCB4-7

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12.6nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.45W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-XFBGA, WLBGA

Lieferantengerätepaket

X2-WLB1616-4

FDC6000NZ_F077

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 6.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

11nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V

Leistung - max

1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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