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SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI4456DY-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI4456DY-T1-E3
Beschreibung MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Hersteller Vishay Siliconix
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SI4456DY-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI4456DY-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
SI4456DY-T1-E3, SI4456DY-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 173,68 KB)
PDFSI4456DY-T1-GE3 Datenblatt Cover
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SI4456DY-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs122nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5670pF @ 20V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SO
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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SIA413DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.7A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 8V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.5W (Ta), 19W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-70-6 Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-70-6

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

250V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

120A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

122nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7870pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

520W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268HV

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

BUK9M15-60EX

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

47A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.45V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2230pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

75W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

LFPAK33

Paket / Fall

SOT-1210, 8-LFPAK33

XP161A1265PR

Torex Semiconductor Ltd

Hersteller

Torex Semiconductor Ltd

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

55mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Paket / Fall

TO-243AA

IXFN26N90

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

900V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

300mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 8mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

240nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10800pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

600W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Kürzlich verkauft

NC7WZ17P6

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ON Semiconductor

IC BUF NON-INVERT 5.5V SC70-6

WSL1206R0250FEA18

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Vishay Dale

RES 25 MOHM 1% 1/2W 1206

B1100-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA

PIC18F46K22-I/PT

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Microchip Technology

IC MCU 8BIT 64KB FLASH 44TQFP

DS5000FP-16+

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Maxim Integrated

IC MCU 8BIT EXTRNL NVSRAM 80QFP

MF-MSMF075-2

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Bourns

PTC RESET FUSE 13.2V 750MA 1812

BAV99

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Panasonic Electronic Components

DIODE ARRAY GP 80V 200MA SOT23-3

1014-12

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RF TRANS NPN 50V 1.4GHZ 55LT

AD5934YRSZ

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Analog Devices

IC DDS 16.776MHZ 12BIT 16SSOP

0467.750NR

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Littelfuse

FUSE BOARD MOUNT 750MA 32VAC/VDC

CDSOT23-T24CAN

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ZUS252405

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