SI4425FDY-T1-GE3
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Teilenummer | SI4425FDY-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI4425FDY-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET P-CH 30-V (D-S) SO-8 |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 3.562 |
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SI4425FDY-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI4425FDY-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SI4425FDY-T1-GE3, SI4425FDY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4425FDY-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® Gen IV |
FET-Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 12.7A (Ta), 18.3A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | +16V, -20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 15V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 2.3W (Ta), 4.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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