SI4413DDY-T1-GE3
Nur als Referenz
| Teilenummer | SI4413DDY-T1-GE3 |
| PNEDA Teilenummer | SI4413DDY-T1-GE3 |
| Beschreibung | MOSFET P-CHANNEL 8SOIC |
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.910 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 26 - Dez 31 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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SI4413DDY-T1-GE3 Ressourcen
| Marke | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | SI4413DDY-T1-GE3 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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SI4413DDY-T1-GE3 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Siliconix |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 114nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4780pF @ 15V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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