SI4190DY-T1-GE3
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Teilenummer | SI4190DY-T1-GE3 |
PNEDA Teilenummer | SI4190DY-T1-GE3 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC |
Hersteller | Vishay Siliconix |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.352 |
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SI4190DY-T1-GE3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI4190DY-T1-GE3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt |
SI4190DY-T1-GE3, SI4190DY-T1-GE3 Datenblatt
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SI4190DY-T1-GE3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 20A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 50V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-SO |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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