SI3900DV-T1-E3
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Teilenummer | SI3900DV-T1-E3 |
PNEDA Teilenummer | SI3900DV-T1-E3 |
Beschreibung | MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP |
Hersteller | Vishay Siliconix |
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SI3900DV-T1-E3 Ressourcen
Marke | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | SI3900DV-T1-E3 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt |
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SI3900DV-T1-E3 Technische Daten
Hersteller | Vishay Siliconix |
Serie | TrenchFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 2.4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Leistung - max | 830mW |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket | 6-TSOP |
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